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IRF7220PBF中文资料

  • 大小：155.91KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 制造商：International Rectifier
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 12 V
  • 闸/源击穿电压：12 V
  • 漏极连续电流：- 11 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8
  • 封装：Tube
  • 下降时间：1040 ns
  • 栅极电荷 Qg：84 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升时间：420 ns
  • 工厂包装数量：95
  • 典型关闭延迟时间：140 ns

IRF7220PBF供应商

更新时间:2023-01-22 14:49:46
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